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Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线

发布者:官方 时间:2024-04-01

  Microchip Technology为满足市场对更大更快的SRAM的需求,已对其串行SRAM产品线进行了扩展,新增了容量高达4 Mb的器件,并将SPI/SQI?接口速度提升至143 MHz。这一新系列包括2 Mb4 Mb两种容量的产品,旨在作为传统并行SRAM的低成本替代方案,并集成了电池备份切换电路以确保断电时数据不丢失。

  相较于需要大型封装和众多I/O接口的并行RAMMicrochip的串行SRAM采用了紧凑的8引脚封装,并通过高速SPI/SQI总线仅需4-6MCU I/O引脚即可实现集成,从而降低了对高成本、高引脚数MCU的需求,有效减少了电路板整体尺寸。

  为应对串行SRAM常见的速度瓶颈,新款产品引入了可选的四通道SPI技术,每个时钟周期可传输4位数据,从而大幅提升了总线速度至143 MHz,显著缩小了串行与并行解决方案之间的性能差距。

  Microchip存储器产品业务部总监Jeff Leasure指出:对于那些需要超出MCU板载RAM容量但又希翼降低成本和电路板尺寸的工程师来说,串行SRAM是一个极具吸引力的选择。大家的2 Mb4 Mb串行SRAM产品正是为此而设计,旨在以高效且经济的方式替代昂贵的并行SRAM

这些新型串行SRAM器件以其小尺寸、低功耗、高性能以及无限耐用性和零写入时间的特性,在涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、计量等数学和数据密集型应用领域中具有广泛的应用前景。此外,这一系列器件的容量范围从64 Kb4 Mb不等,并支撑SPISDISQI等多种总线模式,为不同需求提供了灵活的选择。


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