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Vishay推出小型顶侧冷却PowerPAK 封装的600 V E系列功率MOSFET

发布者:官方 时间:2024-05-08

在当今科技日新月异的时代,半导体技术的每一次革新都深刻影响着电子设备的性能和功能。威世科技Vishay Intertechnology, Inc.的最新举措,推出采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E,不仅为通信、工业和计算应用带来了高效的高功率密度解决方案,更从设计、性能和可靠性等多个角度,展现了半导体技术的全新可能。

从设计的角度来看,PowerPAK 8 x 8LR封装的出现,是对传统封装技术的一次革新。这款封装的外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm,相比D2PAK封装,占位面积减小了50.8%,高度降低了66%。这不仅意味着在相同的空间内可以集成更多的功能,还大大提升了设备的散热性能,使得高功率设备在紧凑的设计中也能保持稳定的运行。

从性能的角度来看,这款MOSFET采用了Vishay先进的高能效E系列超级结技术,在10 V下的典型导通电阻仅为0.074 Ω,超低栅极电荷下降到42 nC。这些卓越的性能参数意味着更低的传导和开关损耗,从而实现了节能和提高电源系统效率的目标。特别是对于2 kW以上的电源系统,这种性能的提升尤为显著。

此外,SiHR080N60E的封装设计还考虑到了温度循环性能和可靠性。封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能,能够在各种环境下保持稳定的性能。同时,器件符合RoHS标准,无卤素,能够耐受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100%通过UIS测试。这些特性使得SiHR080N60E在复杂多变的工作环境中,也能保持出色的稳定性和可靠性。

从应用的角度来看,SiHR080N60E的推出,将极大地推动服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS、高强度放电(HID)灯和荧光镇流器、通信SMPS、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动以及电池充电器等领域的发展。这些领域对电源系统的效率和功率密度有着极高的要求,而SiHR080N60E的出现,正好满足了这些需求。

所以,威世科技Vishay通过推出采用新型PowerPAK 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E,不仅展现了半导体技术的最新成果,更为电子设备的设计、性能和可靠性带来了很大的提升。


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