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英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

发布者:官方 时间:2024-07-03

英飞凌科技股份企业(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)在应对人工智能(AI)处理器日益增长的功率需求方面展现出了强大的创新能力。随着高级GPU芯片的能耗急剧增加,预计在未来几年内每颗高级GPU的能耗可能达到2千瓦或以上,这对服务器电源(PSU)的设计提出了严峻挑战。英飞凌通过开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品,特别是其全新CoolSiC? MOSFET 400 V系列,为这一挑战提供了解决方案。

这款基于第二代(G2CoolSiCTM技术的MOSFET产品组合,专为AI服务器的AC/DC级设计,不仅满足了AI服务器电源对设计和空间的严格要求,还显著提升了电源系统的性能。与现有的650 V SiCSi MOSFET相比,新系列MOSFET具有超低的传导和开关损耗,使得AI服务器电源的AC/DC级在采用多级PFC时,功率密度能达到100 W/in?以上,效率高达99.5%,较传统方案提升了0.3个百分点。

此外,英飞凌的CoolSiC? MOSFET 400 V G2系列还结合了CoolGaN?晶体管在DC/DC级的应用,进一步完善了系统解决方案。这一高性能MOSFET与晶体管组合使得电源系统能够提供8千瓦以上的功率,功率密度较现有解决方案提高了3倍以上,充分满足了AI服务器对高功率密度的需求。

全新MOSFET产品组合共包含10款产品,覆盖了不同的RDS(on)级别(1145 mΩ),并采用先进的开尔文源TOLLD?PAK-7封装以及.XT封装互连技术。这些元件在严苛的开关条件下表现出极高的稳健性,并通过了100%的雪崩测试,确保了其在AI处理器功率需求突变时的可靠性和稳定性。

英飞凌功率系统业务线负责人Richard Kuncic表示,英飞凌致力于通过先进产品如CoolSiC? MOSFET 400 V G2来支撑客户,推动先进AI应用实现最高能效。这一系列产品不仅满足了AI服务器电源的特殊需求,还广泛应用于太阳能和储能系统(ESS)、变频电机控制、工业和辅助电源(SMPS)以及住宅建筑固态断路器等领域,展现了英飞凌在功率半导体领域的领先地位和创新能力


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